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DE275-501N16A

RF Power MOSFET

VDSS = 500 V ID25 = 16 A RDS(on) = .5 Ω PDHS = 375 W N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Q g and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased

IXYS

艾赛斯

DE275-501N16A

RF Power MOSFET

VDSS = 500 V ID25 = 16 A RDS(on) = .5 Ω PDHS = 375 W N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Q g and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased

IXYS

艾赛斯

DE275-501N16A

Switch Mode MOSFETs

Littelfuse

力特

RF Power MOSFET

VDSS = 500 V ID25 = 16 A RDS(on) = .5 Ω PDHS = 375 W N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Q g and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased

IXYS

艾赛斯

DE275-501N16A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DE275-501N16A

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 500V 16A 6-Pin(4+2Tab)

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    MOSFET N RF DE275

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    MOSFET, N, RF, DE275

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    RF MOSFET, N CHANNEL, 500V, DE-275; Transistor

  • Type

    RF MOSFET; Drain Source Voltage

  • Vds

    500V; Continuous Drain Current

  • Id

    16A; Power Dissipation

  • Pd

    590W; Operating Temperature

  • Min

    -55C; Operating Temperature

  • Max

    175C; No. of

  • Pins

    6;RoHS

  • Compliant

    Yes

更新时间:2025-11-20 16:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SEEQ
25+
标准封装
18000
原厂直接发货进口原装
IXYSRF
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
IXYS/艾赛斯
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
SEEQ
23+
DIP
98900
原厂原装正品现货!!
IXYS/艾赛斯
24+
SMD
255
现货供应
SEEQ
25+
长期备有现货
500000
行业低价,代理渠道
SEEQ
22+
CDIP
12245
现货,原厂原装假一罚十!
SEEQ
23+
DIP24
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
SEEE
25+
CDIP
30000
代理全新原装现货,价格优势
SEEQ
2447
CDIP24
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

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