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DE275-501N16

RF Power MOSFET

VDSS = 500 V ID25 = 16 A RDS(on) = .5 Ω PDHS = 375 W N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Q g and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased

IXYS

艾赛斯

DE275-501N16

RF Power MOSFET

Littelfuse

力特

RF Power MOSFET

VDSS = 500 V ID25 = 16 A RDS(on) = .5 Ω PDHS = 375 W N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Q g and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased

IXYS

艾赛斯

RF Power MOSFET

VDSS = 500 V ID25 = 16 A RDS(on) = .5 Ω PDHS = 375 W N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Q g and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased

IXYS

艾赛斯

Switch Mode MOSFETs

Littelfuse

力特

DE275-501N16产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DE275-501N16

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    RF Power MOSFET

更新时间:2025-11-20 14:31:00
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SEEQ
24+
DIP-24
105
SEEQ
22+
CDIP
12245
现货,原厂原装假一罚十!
SEEQ
24+
DIP
200
进口原装正品优势供应
SEEQ
QQ咨询
DIP
268
全新原装 研究所指定供货商
三凌
20+
原装模块
368
样品可出,原装现货
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99+
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10
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2023+
ZIP-19
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
SEEQ
2318+
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25+
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IXYS/艾赛斯
23+
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