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60 V – 90 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive

Description NP89N06PDK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance  RDS(on)1 = 5.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)  Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and

RENESAS

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60 V ??90 A ??N-channel Power MOS FET

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更新时间:2025-12-17 23:00:01
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