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N-Channel MOSFET

Features  60V, 120A,Rds(on)(typ)=6.5mΩ@Vgs=10V  HighRuggedness  Fast Switching  100 Avalanche Tested  Improved dv/dt Capability Description This Power MOSFET is produced using Si-Tech’s advanced Trench MOS Technology. This latest technology has been especially designed to minimize

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更新时间:2025-11-3 13:01:01
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