| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TMOSPOWERFET9.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.25OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
POWERMOSFET9AMPS,100VOLTS 文件：113.31 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
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100VN-ChannelMOSFET 文件：421.38 Kbytes Page：8 Pages | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NA/ |
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