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N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

FEATURES SUMMARY ■ TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAG

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-8-5 23:01:01
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