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STD9N10-1

丝印代码:D9N10;N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

FEATURES SUMMARY ■ TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAG

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD9N10-1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.05699 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-7-23 18:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
25+
DIP
20000
原装,请咨询
ST/意法
22+
IPAKTO-251
16040
SANKEN
25+
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20000
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