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STD9N10-1

N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

FEATURES SUMMARY ■ TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAG

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD9N10-1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.05699 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD9N10-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD9N10-1

  • 制造商

    STMicroelectronics

更新时间:2025-8-8 17:51:00
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