| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  |   | |
TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technolgythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | | |
N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.08726 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | | |
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2019-4-25
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