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576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O

Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-3-11 20:00:01
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