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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia | RENESAS 瑞萨 |   |
更新时间：2025-12-25 11:56:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
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BGA |
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RENESAS |
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REN |
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Renesa |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS |
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