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DualN-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •Dualdevice •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowprofilesurfacemountpackage Applications:- •Motorandrelaydrivers •d.c.tod.c.conver

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飞利浦荷兰皇家飞利浦

DualN-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription DualstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefit

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更新时间:2025-8-3 23:00:01
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