| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. | CET-MOS 华瑞 | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. | CET-MOS 华瑞 | |||
N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate 文件:200.17 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEPRI |
2026+ |
QFP64 |
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