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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET

DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-29 16:25:01
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