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RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

DESCRIPTION The MSC83301 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing an overlay, emitter site ballasted geometry with a refractory gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated condi

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更新时间:2025-12-24 23:01:01
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