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CP773中文资料

厂家型号

CP773

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2

功能描述

MOSFET Transistor P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP773数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Die Size 39 x 27 MILS

Die Thickness 7.5 MILS

Gate Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS

Source Bonding Pad Area 30 x 20 MILS

Top Side Metalization Al - 40,000Å

Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - 1,000Å/3,000Å/10,000Å

更新时间:2025-12-3 10:20:00
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