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CP767V中文资料

厂家型号

CP767V

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功能描述

Small Signal Transistor PNP - Low Noise Amplifier Transistor Chip

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP767V数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 30 x 30 MILS

Die Thickness 7.1 MILS

Base Bonding Pad Area 3.9 x 4.2 MILS

Emitter Bonding Pad Area 7.4 x 3.8 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Au - 18,000Å

更新时间:2025-10-13 10:03:00
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