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CP764X数据手册规格书PDF详情
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 21.7 x 17.7 MILS
Die Thickness 5.5 MILS
Gate Bonding Pad Area 4.7 x 4.7 MILS
Source Bonding Pad Area 6.1 x 7.9 MILS
Top Side Metalization Al-Si - 35,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
CP764X产品属性
- 类型
描述
- 型号
CP764X
- 制造商
CENTRAL
- 制造商全称
Central Semiconductor Corp
- 功能描述
Small Signal MOSFET Transistor P-Channel Enhancement-Mode Transistor Chip
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