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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

CSD18535KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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TI

德州仪器

60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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德州仪器

60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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更新时间:2026-3-14 10:35:01
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