型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CY7C2562XV18-366BZXC

72-Mbit QDR짰 II Xtreme SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

Functional Description The CY7C2562XV18 and CY7C2564XV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR™-II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2562XV18-366BZXC

封装/外壳:165-LBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2562XV18-366BZXC

Synchronous SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C2562XV18-366BZXC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C2562XV18-366BZXC

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 72MB(4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-20 8:01:00
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