CY7C1565KV18-500BZXI

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进口代理

制造商: Infineon

产品种类: 静态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

存储容量: 72 Mbit

组织: 2 M x 36

访问时间: 450 ps

最大时钟频率: 500 MHz

接口类型: Parallel

电源电压-最大: 1.9 V

电源电压-最小: 1.7 V

电源电流—最大值: 1.21 A

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: FBGA-165

封装: Tray

商标: Infineon Technologies

数据速率: QDR-II

存储类型: QDR

湿度敏感性: Yes

端口数量: 2

产品类型: SRAM

系列: CY7C1565KV18

272

子类别: Memory & Data Storage

类型: Synchronous

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
CY7C1565KV18-500BZC	72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1565KV18-500BZC	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1565KV18-500BZI	72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1565KV18-500BZI	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1565KV18-500BZXC	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1565KV18-500BZXC	72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1565KV18-500BZXI	72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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2026-1-2 20:00:00