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CY7C166价格

参考价格：￥2033.0186

型号：CY7C1663KV18-450BZXC 品牌：Cynergy 3 备注：这里有CY7C166多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CY7C166批发/采购报价，CY7C166行情走势销售排行榜，CY7C166报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CY7C166

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C166

16K x 4 Static RAM

文件：266.19 Kbytes Page：9 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C166-15PC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C166-15VC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C166-20PC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C166-20VC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

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CY7C166-25PC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C166-25VC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

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CY7C166-35PC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

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CY7C166-35VC

16K x 4 Static RAM

Functional Description The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Features • High speed — 15 ns • Output enable (OE) feature (CY7C166) • CMOS for optimum speed/power • Low active power — 633 mW • Low standby power — 110 mW •

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CY7C1663KV18

144-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

Functional Description The CY7C1663KV18, and CY7C1665KV18 are 1.8-V synchronous pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C1663KV18-550BZXC

144-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

Functional Description The CY7C1663KV18, and CY7C1665KV18 are 1.8-V synchronous pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has

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CY7C1665KV18

144-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

Functional Description The CY7C1663KV18, and CY7C1665KV18 are 1.8-V synchronous pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1665KV18-550BZXC

144-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

Functional Description The CY7C1663KV18, and CY7C1665KV18 are 1.8-V synchronous pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C166-15VC

16K x 4 Static RAM

文件：266.19 Kbytes Page：9 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C166-25VC

16K x 4 Static RAM

文件：266.19 Kbytes Page：9 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1663KV18-550BZXC

封装/外壳：165-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路（IC） 存储器

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1665KV18-450BZXC

封装/外壳：165-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路（IC） 存储器

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1665KV18-550BZXC

同步 SRAM

INFINEON

英飞凌

CY7C1668KV18

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

INFINEON

英飞凌

CY7C1668KV18

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

文件：771.58 Kbytes Page：30 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1668KV18-450BZXC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

文件：771.58 Kbytes Page：30 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1668KV18-450BZXC

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

INFINEON

英飞凌

CY7C1668KV18-550BZXC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

文件：771.58 Kbytes Page：30 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C166产品属性

  • 类型

    描述

  • 合格汽车：

    否

  • 突发长度（字）：

    4

  • 密度 (Kb)：

    147456

  • Density (Mb)：

    144

  • 频率 (MHz)：

    550

  • 最高工作温度 (°C)：

    70

  • Max. Operating VCCQ (V)：

    1.90

  • 最高工作电压 (V)：

    1.90

  • 最低工作温度 (°C)：

    0

  • Min. Operating VCCQ (V)：

    1.40

  • 最低工作电压 (V)：

    1.70

  • 组织 (X x Y)：

    8Mb x 18

  • Part Family：

    QDR-II+

  • Tape & Reel：

    否

  • 温度分类：

    商用

CY7C166供应商更多...

更新时间：2026-5-14 18:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市昌和盛利电子有限公司
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