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CY7C1620KV18-250BZXC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1618KV18, and CY7C1620KV18 are 1.8-V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Addresses for read and write are latched on alternate ris

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144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

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封装/外壳:165-LBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

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DDR-II CIO

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-20 22:59:00
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