型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CY7C1418KV18-333BZC

36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1416KV18, CY7C1427KV18, CY7C1418KV18, and CY7C1420KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Features ■ 36-Mbit density

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1418KV18-333BZC

封装/外壳:165-LBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1418KV18-333BZC

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C1418KV18-333BZC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C1418KV18-333BZC

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 36MB(2Mx18) 1.8v 333MHz DDR II 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-22 22:59:00
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