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18-MbitDDR-IISRAM2-WordBurstArchitecture

Features •18-Mbitdensity(2Mx8,2Mx9,1Mx18,512Kx36) •300-MHzclockforhighbandwidth •2-Wordburstforreducingaddressbusfrequency •DoubleDataRate(DDR)interfaces (datatransferredat600MHz)@300MHz •Twoinputclocks(KandK)forpreciseDDRtiming —SRAMu

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

18-MbitDDR-IISRAM2-WordBurstArchitecture

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Cypress

封装/外壳:165-LBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

18-MbitDDR-IISRAM2-WordBurstArchitecture

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封装/外壳:165-LBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

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CY7C1320BV18-250B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C1320BV18-250B

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V IND DDR II 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-6-24 19:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CYPRESS
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BGA165
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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