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CY7C1320BV18-250BZC

18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

Features • 18-Mbit density (2M x 8, 2M x 9, 1M x 18, 512K x 36) • 300-MHz clock for high bandwidth • 2-Word burst for reducing address bus frequency • Double Data Rate (DDR) interfaces (data transferred at 600 MHz) @ 300 MHz • Two input clocks (K and K) for precise DDR timing — SRAM u

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CY7C1320BV18-250BZC

封装/外壳:165-LBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

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CY7C1320BV18-250BZC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C1320BV18-250BZC

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V IND DDR II 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-4 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Cypress
165-FBGA
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Cypress一级分销,原装原盒原包装!
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全新原装 货期两周
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全新原装正品,现货销售
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9000
原装正品,支持实单
Cypress Semiconductor Corp
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专注配单,只做原装进口现货
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原厂渠道,现货配单

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