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N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package.

SAMHOP

三合微科

N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package.

SAMHOP

三合微科

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更新时间:2026-3-16 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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