位置：首页 > IC中文资料第11860页 > STD25N03L
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STD25N03L | N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package. | Samhop 三合微科 |   | |
STD25N03L | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68809 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM25N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l | ADV 爱德微 | | ||
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON), VGS@10V,ID@12A | PANJIT 強茂 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：2.01458 Mbytes Page：5 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：589.74 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
High density cell design for ultra low Rdson 文件：553.72 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
STD25N03L产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD25N03L
- 制造商
SAMHOP
- 制造商全称
SAMHOP
- 功能描述
N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
||||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
ST |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ST(意法半导体) |
2447 |
TO-252-2(DPAK) |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ST |
23+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
SamHop |
25+ |
TO-263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
STD25N03L规格书下载地址
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