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HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●10VDRIVE ●VDSS...............................................................................150V ●rDS(ON)(MAX).............................................................92mΩ ●ID............................................................................

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

NchPOWERMOSFETHIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●10VDRIVE ●VDSS...............................................................................150V ●rDS(ON)(MAX).............................................................92mΩ ●ID............................................................................

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

POWEREX

High-SpeedSwitchingUseNchPowerMOSFET

Features •Drivevoltage:10V •VDSS:150V •rDS(ON)(max):92mΩ •ID:30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):110ns •Viso:2000V

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=92mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-5-14 10:38:01
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