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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CSD25401Q3 | P-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：392.82 Kbytes Page：11 Pages | TI 德州仪器 |   | |
CSD25401Q3 | P-Channel NexFET™ Power MOSFETs | TI 德州仪器 | |
CSD25401Q3产品属性
- 类型
描述
- 型号
CSD25401Q3
- 功能描述
MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-22 20:02:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
SON3x3 |
20300 |
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TI(德州仪器) |
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TI |
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NA |
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TI/德州 |
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QFN |
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22+ |
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TI |
23+ |
NA |
20000 |
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NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
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2020-12-22
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