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CSD25211W1015价格
参考价格：￥2.0066
型号：CSD25211W1015 品牌：TI 备注：这里有CSD25211W1015多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CSD25211W1015批发/采购报价，CSD25211W1015行情走势销售排行榜，CSD25211W1015报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CSD25211W1015 | 丝印代码：25211；CSD25211W1015, P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm • Low profile 0.62 mm height • Pb Free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection – 3 kV • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery P | TI 德州仪器 |   | |
CSD25211W1015 | 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | TI 德州仪器 | | |
CSD25211W1015 | P-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：789.12 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | | |
丝印代码：25211；CSD25211W1015, P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm • Low profile 0.62 mm height • Pb Free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection – 3 kV • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery P | TI 德州仪器 | |
CSD25211W1015产品属性
- 类型
描述
- 型号
CSD25211W1015
- 功能描述
MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
DSBGA-6 |
7786 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
TI |
25+ |
DSBGA-6 |
7734 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
TI/德州仪器 |
2038+ |
DSBGA6 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
|||
TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
TI |
22+ |
6UFBGA DSBGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
TI(德州仪器) |
2450+ |
SMD |
9850 |
只做原装正品代理渠道!假一赔三! |
|||
TI |
23+ |
DSBGA6 |
18648 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
|||
TI |
24+ |
DSBGA6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
TI |
23+ |
DSBGA6 |
20000 |
||||
TI/德州仪器 |
25+ |
DSBGA-6 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
CSD25211W1015规格书下载地址
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2020-12-22
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