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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CSD23202W10.B | 丝印代码：202；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62-mm Height • Pb Free • Gate ESD Protection – 3 kV • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 12 V, 44 mΩ device is desi | TI 德州仪器 |   | |
丝印代码：202；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62-mm Height • Pb Free • Gate ESD Protection – 3 kV • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 12 V, 44 mΩ device is desi | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：202；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62-mm Height • Pb Free • Gate ESD Protection – 3 kV • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 12 V, 44 mΩ device is desi | TI 德州仪器 | | ||
12-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：440.93 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
12-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：440.93 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
25+ |
DSBGA4 |
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TI |
25+ |
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TI/德州仪器 |
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TI |
三年内 |
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2020-12-22
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