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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

100VN-ChannelNexFET??PowerMOSFETs

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TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

100VN-ChannelNexFEPowerMOSFETs

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TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR

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RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

RHOMBUS-IND
更新时间:2025-8-3 17:10:01
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