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2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 2N70 is a high voltage MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, P

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2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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N-CHANNEL ENHANCEMENT

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更新时间:2025-12-25 9:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROCHIP/微芯
24+
NA
9000
原装正品优势现货,假一赔十
ON-SEMI
22+
N/A
3000
原装正品 香港现货
25+
6000
公司现货库存
25+
6000
公司现货库存
TI
23+
SC70(DCK)-5
8000
TI优势物料,欢迎询价
ON
23+
N/A
10000
正规渠道,只有原装!
Nexperia/安世
24+25+
500000
优势渠道 常备库存 保证原装
恩XP
21+
SOT-23
48000
原装现货、工厂库存
ON/安森美
23+
SOT23
3000
原装正品,假一赔十
恩XP
24+/25+
1000
100%原装正品真实库存,支持实单

CS2N70FIC数据表相关新闻

  • CS30AL

    进口代理

    2022-11-30
  • CS30CL

    CS30CL 原装现货

    2019-8-8
  • CS2N60A4HY

    CS2N60A4HY,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-3-15
  • CS3843A-脱线的电流模式PWM控制电路的欠压锁定

    CS284XA,CS384XA提供所有必要的功能来实现脱线的固定频率电流模式最低数量的控制外部元件。CS384XA系列包含了新的高精度温度控制振荡器与内部微调放电电流,以尽量减少变化在频率上。一个精密dutycycle钳省去了外部振荡器时,50%dutycycle被使用。责任周期大于50%也是可能的。在电路板的逻辑确保VREF是稳定之前启用输出级。离子植入电阻提供更严格的控制欠压锁定。其他功能还包括低启动目前,脉冲,脉冲电流限制,和高电流的图腾柱输出驱动容性负载,如功率MOSFET的栅极。输出处于关闭状态是低的,一致的N沟道器件。CS384XA系列电流模式控制IC,可在8 and14表面贴装引

    2012-12-3
  • CS2844-电流模式PWM控制电路,用50%的最大占空比

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    2012-12-3
  • CS2842A-脱线的电流模式PWM控制电路的欠压锁定

    CS284XA,CS384XA提供所有必要的功能来实现脱线的固定频率电流模式最低数量的控制外部元件。CS384XA系列包含了新的高精度温度控制振荡器与内部微调放电电流,以尽量减少变化在频率上。一个精密dutycycle钳省去了外部振荡器时,50%dutycycle被使用。责任周期大于50%也是可能的。在电路板的逻辑确保VREF是稳定之前启用输出级。离子植入电阻提供更严格的控制欠压锁定。其他功能还包括低启动目前,脉冲,脉冲电流限制,和高电流的图腾柱输出驱动容性负载,如功率MOSFET的栅极。输出处于关闭状态是低的,一致的N沟道器件。CS384XA系列电流模式控制IC,可在8 and14表面贴装引

    2012-12-3