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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N65

N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION 2N60 2N65 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power su

ZSELEC

淄博圣诺

2N65

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08591 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2N65

2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：185.87 Kbytes Page：6 Pages

UTC

友顺

2N65

2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：195.58 Kbytes Page：6 Pages

UTC

友顺

2N65

2A mps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件：201.07 Kbytes Page：2 Pages

CHONGQING

平伟实业

CS2N65FIC供应商更多...

更新时间：2025-12-24 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
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ON Semiconductor Corporation
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CS2N65FIC芯片相关品牌

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CS2N65FIC数据表相关新闻

  • CS30AL

    进口代理

    2022-11-30

  • CS30CL

    CS30CL 原装现货

    2019-8-8

  • CS2N60A4HY

    CS2N60A4HY，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-3-15

  • CS3843A-脱线的电流模式PWM控制电路的欠压锁定

    CS284XA，CS384XA提供所有必要的功能来实现脱线的固定频率电流模式最低数量的控制外部元件。CS384XA系列包含了新的高精度温度控制振荡器与内部微调放电电流，以尽量减少变化在频率上。一个精密dutycycle钳省去了外部振荡器时，50％dutycycle被使用。责任周期大于50％也是可能的。在电路板的逻辑确保VREF是稳定之前启用输出级。离子植入电阻提供更严格的控制欠压锁定。其他功能还包括低启动目前，脉冲，脉冲电流限制，和高电流的图腾柱输出驱动容性负载，如功率MOSFET的栅极。输出处于关闭状态是低的，一致的N沟道器件。CS384XA系列电流模式控制IC，可在8 and14表面贴装引

    2012-12-3

  • CS2844-电流模式PWM控制电路，用50％的最大占空比

    CS3844/45提供所有必要的功能来实现离线固定频率电流模式控制与外部的最低数量组件。CS3844系列采用了新的精确的温度控制振荡器尽量减少频率的变化。内部切换触发器，空白输出每隔时钟周期，占空比范围限制低于50％。欠压锁定确保VREF是稳定的输出级之前启用。在CS2844/CS3844又出现在16V和关闭在10V。在CS2845/CS3845又是在8.4V关闭在7.6V。其他功能还包括低启动目前，脉冲，脉冲电流限制，和高电流的图腾柱输出驱动容性负载，如作为一个功率MOSFET的栅极。输出在关机状态下是低的，一致的N沟道器件。

    2012-12-3

  • CS2842A-脱线的电流模式PWM控制电路的欠压锁定

    CS284XA，CS384XA提供所有必要的功能来实现脱线的固定频率电流模式最低数量的控制外部元件。CS384XA系列包含了新的高精度温度控制振荡器与内部微调放电电流，以尽量减少变化在频率上。一个精密dutycycle钳省去了外部振荡器时，50％dutycycle被使用。责任周期大于50％也是可能的。在电路板的逻辑确保VREF是稳定之前启用输出级。离子植入电阻提供更严格的控制欠压锁定。其他功能还包括低启动目前，脉冲，脉冲电流限制，和高电流的图腾柱输出驱动容性负载，如功率MOSFET的栅极。输出处于关闭状态是低的，一致的N沟道器件。CS384XA系列电流模式控制IC，可在8 and14表面贴装引

    2012-12-3

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