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20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-10-21 11:51:01
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    2020-5-13
  • CS2003CB深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 传真:0755-82532883 手机:18138231376、18806643356 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-6-24
  • CS2N60A4HY

    CS2N60A4HY,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-3-15
  • CS2001YDWF20-模拟集成电路

    描述 CS2001是一种智能的电源专用集成电路在汽车使用安全气囊系统。它包含一个电流模式开关稳压器和一个1.2甲片上开关和一个5.0伏,100毫安线性稳压器。线性输出电容的ESR必须在范围更大的MF或3.3100毫瓦如果上限至1.0瓦特的ESR小于100毫瓦,一个系列电阻必须使用。切换台可以配置在任何一个推动或反激式拓扑。升压拓扑结构会产生能量储备VER的是外部电压可调(最高25伏特),通过电阻分压器连接到VFB引脚。在故障事件振动流化床生产条件或者开路或短路时,转换器是关闭。在正常工作条件下(VBAT的> 8.0 V)时,电流线性稳压器上装载直接通过VBAT的

    2013-2-21
  • CS2842A-脱线的电流模式PWM控制电路的欠压锁定

    CS284XA,CS384XA提供所有必要的功能来实现脱线的固定频率电流模式最低数量的控制外部元件。CS384XA系列包含了新的高精度温度控制振荡器与内部微调放电电流,以尽量减少变化在频率上。一个精密dutycycle钳省去了外部振荡器时,50%dutycycle被使用。责任周期大于50%也是可能的。在电路板的逻辑确保VREF是稳定之前启用输出级。离子植入电阻提供更严格的控制欠压锁定。其他功能还包括低启动目前,脉冲,脉冲电流限制,和高电流的图腾柱输出驱动容性负载,如功率MOSFET的栅极。输出处于关闭状态是低的,一致的N沟道器件。CS384XA系列电流模式控制IC,可在8 and14表面贴装引

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    2012-12-3