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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOD4187usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications Features VDS(V)=-40V ID=-45A(VGS=-1

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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海科

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TouchScreenControllerforDualTouchGestures

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AKMAsahi Kasei Microsystems

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

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更新时间:2025-7-27 9:48:01
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