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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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丝印代码：P5；NPN 25 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package. FEATURES • Very high power gain • Low noise figure • High transition frequency • Emitter is thermal lead • Low feedback capacitance. APPLI | PHILIPS 飞利浦 |   | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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特点 •隔离密封包装，JEDEC TO -257AA封装 •参考电压设定为±2％ •内置热过载保护 •短路电流限制 说明 这三个终端中提供积极的监管机构密封的隔离，金属TO -257封装。所有保护功能被设计成包括热关断电路，电流限制和安全区控制。随着散热，他们可以提供超过3.0安培的输出电流。这些单位功能2％的初始电压容差，0.35％和0.01％的负载调节行规。...
2013-1-31
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