| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON) | TUOFENG 拓锋半导体 |   | ||
High Q, high self-resonant frequency Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Complementary High Density Trench MOSFET 文件：317.57 Kbytes Page：7 Pages | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
Binary reduction valve 文件：99.4 Kbytes Page：1 Pages | FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托（中国）有限公司 | | ||
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.22669 Mbytes Page：14 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
台产 |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
BOURNS |
24+/25+ |
96 |
原装正品现货库存价优 |
||||
MOLEX |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
|||
BOURNS/伯恩斯 |
20+ |
DIP |
2000 |
原装现货 |
|||
RZC |
SOP-8 |
999999 |
全新原装正品 一级代理假一罚十 长期有货 |
||||
MT台湾茂钿 |
25+ |
SOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
TF(拓锋) |
23+ |
SOP-8 |
917 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
|||
BOURNS/伯恩斯 |
2223+ |
ZIP-6 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
BOURNS |
25+ |
70 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
Bourns(伯恩斯) |
24+ |
标准封装 |
22663 |
我们只是原厂的搬运工 |
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- d1002
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2021-6-5CN809R
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瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-3-24
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