| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Complementary PNP Type Available (MMBT4126) ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching | TRSYS Transys Electronics |   | ||
NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | SAMSUNG 三星 | | ||
Amplifier Transistors Amplifier Transistor NPN Silicon | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
24 mm Discrete HFET 24 mm Discrete HFET • 0.5 um gate finger length • Nominal Pout of 12 Watts at 2.3 GHz • Nominal PAE of 51.5 at 2.3 GHz • Nominal Gain of 10.8 dB at 2.3 GHz • Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils (0.914 x 2.057 x 0.102 mm) | TRIQUINT | | ||
Amplifier Transistor(NPN Silicon) 文件：57.14 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
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2019-3-24
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