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RectifierDiodes

FEATURES HighdensitycelldesignforultralowRps(on)®Excellentpackageforgoodheatdissipation FullycharacterizedAvalanchevoltageandcurrent®SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability GoodstabilityanduniformitywithhighEas Excellentpackageforgoodheatdissipation

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Featurese 30V,100A Rosow3.88mQ@Ves=10V(Typ) «AdvancedTrenchTechnology +ProvideExcellentRoscoandLowGateCharge «Leadfreeproductisacquired

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

TECHPUBLIC

30VN-ChannelPower

Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.8mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.4mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.62203 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

90A竊?0VN-CHANNELMOSFET

文件:212.13 Kbytes Page:5 Pages

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA
更新时间:2025-6-25 16:35:01
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