Lens End

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二合一电池保护IC

CM1123系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路，通过检测电池的电压、电流、实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。方案具有高集成度、高精度、低功耗和体积小等特点。 1） 高精度电压检测功能\n\n\n过充电保护电压\n4.200~4.600 V\n精度：±20mV\n过充电解除电压\n4.000~4.400 V\n精度：±50mV\n过放电保护电压\n2.700~3.000 V\n精度：±50mV\n过放电解除电压\n2.900~3.200 V\n精度：±100mV\n放电过流检测\n0.200~0.500 A\n精度：±50mA\n短路电流检测\n0.400~1.000 A\n精度：±100mA\n充电过流检测\n0.200~0.500 A\n精度：±50mA\n2） 内部检测延迟时间\n\n\n\n过充电保护延时\n1.0s\n精度：±30%;

Contact Bayonet Base

RP-11 Single Contact Bayonet Base RP-11 Double Contact Bayonet Base

RP-11 Single Contact Bayonet Base

RP-11 Single Contact Bayonet Base

内置MOSFET单节锂电池保护IC

CM110X/111X系列产品是高集成度的二合一单节锞电池保护芯片，采用高电压CMOS工艺，内部集成了保护IC和MOSFET，可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能，同时具备休眠功能，在低电芯电压条件下可实现对电芯的保护，并保证极低的自耗电，具有高集成度、高精度、低功耗及高耐压等特点。CM1124/1126/1130/112E/2124系列产品是高集成度的二合一单节锂电池保护芯片，可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能，芯片具有高集成度、高精度、低功耗和体积小等特点。同时CM126B、CM1130系列产品支持船运模式，使小容量电池满足海运

Single Contact Bayonet Base

S-8 Single Contact Bayonet Base

S-8 Single Contact Bayonet Base

S-8 Single Contact Bayonet Base Chicago Miniature Lamp reserves the right to make specification revisions that enhance the design and/or performance of the product

MAGNETIC POWDER CORES

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MAGNETIC POWDER CORES

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MAGNETIC POWDER CORES

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MAGNETIC POWDER CORES

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MAGNETIC POWDER CORES

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MAGNETIC POWDER CORES

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MAGNETIC POWDER CORES

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单芯片二合一保护IC

JFET Chopper Transistor (N-Channel- Depletion)

JFET Chopper Transistor N–Channel — Depletion

SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

Operational Amplifiers

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