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100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features • Very low rDS(ON) 5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 14nC (typical) • SEE hardness (see SEE report for details) • SEL/SEB LETTH (VDS = 100V, VGS = 0V): 86MeV•cm2/mg • ISL70023SEH radiation accepting testing • High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) • Low dose rate

RENESAS

瑞萨

100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features ▪ Very low rDS(ON) 5mΩ (typical) ▪ Ultra low total gate charge 14nC (typical) ▪ SEE hardness (see SEE report for details) • SEL/SEB LETTH (VDS = 100V, VGS = 0V): 86MeV•cm2/mg(Si) ▪ ISL70023SEH radiation accepting testing • High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) • Low dose r

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100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features • Very low rDS(ON) 5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 14nC (typical) • SEE hardness (see SEE report for details) • SEL/SEB LETTH (VDS = 100V, VGS = 0V): 86MeV•cm2/mg • ISL70023SEH radiation accepting testing • High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) • Low dose rate

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MMCX PLUG STRAIGHT CRIMP, RG174, 316

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POMONA

Pomona Electronics

更新时间:2025-10-20 17:59:01
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瑞萨全系列在售,大代理渠道直供
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    2013-3-24
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    2013-1-31