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芯片资料

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ISB35166	HCMOS STRUCTURED ARRAY GENERAL DESCRIPTION The ISB35000 array series uses a high performance, low voltage, triple level metal, HCMOS 0.5 micron process to achieve sub-nanosecond internal speeds while offering very low power dissipation and high noise immunity. The potential total gate count ranges above 1 million equiv	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
35166	18 (16/30) AWG Tinned Copper 文件：393.68 Kbytes Page：4 Pages	ALPHAWIRE	ALPHAWIRE

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更新时间：2026-3-13 20:00:01

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2020-10-29