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HCMOS STRUCTURED ARRAY

GENERAL DESCRIPTION The ISB35000 array series uses a high performance, low voltage, triple level metal, HCMOS 0.5 micron process to achieve sub-nanosecond internal speeds while offering very low power dissipation and high noise immunity. The potential total gate count ranges above 1 million equiv

STMICROELECTRONICS

意法半导体

18 (16/30) AWG Tinned Copper

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ALPHAWIRE

更新时间:2025-12-24 23:20:01
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