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CEB20P10	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED20P10	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-16A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
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更新时间：2024-6-17 14:18:01

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