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N-Channel Enhancement

InPower Product Lines

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 

文件:124.45 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.0755 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件:418.46 Kbytes Page:10 Pages

Samhop

三合微科

更新时间:2025-8-6 20:00:01
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