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CHA2190-99FSLASH00 | 20-30GHz Low Noise Amplifier Description The circuit is a two-stages self biased wide band monolithic low noise amplifier. The circuit is manufactured with a standard pHEMT process: 0.25µm gate length, via holes through the substrate, air bridges and electron beam gate lithography. It is supplied in chip form. Main | UMS |   |
更新时间：2025-11-23 14:32:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-12-29CH9344
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