位置：首页 > IC中文资料第263页 > CGY888C112
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NXP | ETC |   |
CGY888C112产品属性
- 类型
描述
- 型号
CGY888C112
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 制造商
NXP
- 制造商
NXP Semiconductors
更新时间：2026-1-1 23:01:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIEMENS/西门子 |
24+ |
NA/ |
55 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
xpn(信普尼) |
24+ |
8215 |
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||||
Siemens/西门子 |
25+ |
SOP |
55 |
原装正品,假一罚十! |
|||
CGY96SOP- |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
SIEMENS |
23+ |
SOP |
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SANYO |
25+ |
标准封装 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
HOLTEK/合泰 |
2407+ |
SOP24 |
7750 |
原装现货!实单直说!特价! |
|||
SIEMENS |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
||||
SANYO |
23+ |
DIP14 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
16+ |
QFP |
2500 |
进口原装现货/价格优势! |
CGY888C112规格书下载地址
CGY888C112参数引脚图相关
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- c波段
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- cs5532
- cs1
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- cp10
- connector
- cob
- cmos传感器
- cmos
- cm2006
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- CH083DN
- CH083DI
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2023-2-3CGHV96050F2
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2019-12-7CGHV50200F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz， 200 Watt
2019-12-7CGHV60075D5
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz， 75 Watt
2019-12-7CH236
CH236，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-2CH315
CH315，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-1
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