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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon Schottky Diode 文件：1.28675 Mbytes Page：19 Pages | INFINEON 英飞凌 |   |
更新时间：2026-3-14 23:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
25+ |
N/A |
21000 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
INFINEON |
2026+ |
SOT143 |
580 |
原装正品,假一罚十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
0434+ |
SOT-143 |
69000 |
||||
Infineon |
22+ |
SOT |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
N/A |
21000 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
SOT-143 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
INFINEON |
25+23+ |
29140 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-143 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
INFINEON |
24+ |
SMD |
27200 |
新进库存/原装 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
SOT143 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
CGY62E6327规格书下载地址
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2023-2-3CGHV96050F2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz， 50 Watt
2019-12-7CGHV50200F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz， 200 Watt
2019-12-7CGHV60075D5
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz， 75 Watt
2019-12-7CH236
CH236，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-2CH315
CH315，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-1
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