型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
CGY2010G

GSM 4 W power amplifiers

GENERAL DESCRIPTION The CGY2010G and CGY2011G are GSM class 4 GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) power amplifiers specifically designed to operate at 4.8 V battery supply. These ICs also include a power sensor driver so that no directional coupler is required in the power

Philips

飞利浦

10 Watt - 28 Volts, Class C Microwave 2000 MHz

文件:277.73 Kbytes Page:3 Pages

GHZTECH

Type CRG Series

文件:131.66 Kbytes Page:3 Pages

MA-COM

SMD High Power Precision Resistors

文件:199.3 Kbytes Page:6 Pages

MACOM

Snap Bushings

文件:133.28 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Industrial VRS Magnetic Speed Sensors

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HONEYWELL-ACC

霍尼韦尔

CGY2010G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CGY2010G

  • 制造商

    PHILIPS

  • 制造商全称

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    GSM 4 W power amplifiers

更新时间:2025-8-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
NA/
4483
原装现货,当天可交货,原型号开票
PHI
23+
QFP48
20000
全新原装假一赔十
PHI
25+
TQFP48
1233
原装正品,假一罚十!
PHI
99+
TQFP48
1233
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
PHI
17+
QFP48
9988
只做原装进口,自己库存
PHI
2016+
QFP
6528
只做进口原装现货!或订货,假一赔十!
PHI
21+
TSSOP
10196
原装现货假一赔十
PHI
20+
QFP
500
样品可出,优势库存欢迎实单
PHI
23+
TSSOP
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
WAR
96+
QFP
3
原装现货海量库存欢迎咨询

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    2023-2-3
  • CGHV96050F2

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt

    2019-12-7
  • CGHV50200F

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

    2019-12-7
  • CGHV60075D5

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt

    2019-12-7
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  • CH315

    CH315,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-1