位置：首页 > IC中文资料 > CGY120E6630E1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CGY120E6630E1 | CGY120E6630E1 |   |
更新时间：2024-6-23 15:24:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
SOT-163 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
SOT-6 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
INFINEON |
16+ |
SOT-163 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
INFINEON |
22+ |
SOT-163 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
SIEMENS |
2008 |
SOT-163 |
493 |
||||
SIEMENS/西门子 |
20+ |
SOT-163 |
5000 |
原装正品 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
20000 |
全新、原装、现货 |
||||
INFINEON |
106 |
SOP-6 |
8687 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
SIEMENS |
23+ |
SOT-163 |
300 |
全新原装正品 |
|||
INFINEON |
21+ |
SOP-6 |
8687 |
原装现货假一赔十 |
CGY120E6630E1芯片相关品牌
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2023-2-3CGHV96050F2
射频结栅场效应晶体管(RFJFET)晶体管GaNHEMT7.9-9.6GHz，50Watt
2019-12-7CGHV50200F
射频结栅场效应晶体管(RFJFET)晶体管GaNHEMT4.4-5.0GHz，200Watt
2019-12-7CGHV60075D5
射频结栅场效应晶体管(RFJFET)晶体管GaNHEMTDieDC-6.0GHz，75Watt
2019-12-7CH236
CH236，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-2CH315
CH315，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-1
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