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CGB241

2-Stage Bluetooth & WLAN InGaP HBT Power Amplifier

文件:280 Kbytes Page:14 Pages

TRIQUINT

CGB241

2-Stage Bluetooth & WLAN InGaP HBT Power Amplifier

QORVO

威讯联合

POWER TRANSISTORS(3A,40W)

MOSPEC

统懋

POWER TRANSISTORS(3A,40W)

MOSPEC

统懋

POWER TRANSISTORS(3A,40W)

MOSPEC

统懋

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

Complementary Silicon Plastic Power Transisotors . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. • Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(3A,40W)

MOSPEC

统懋

CGB241产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CGB241

  • 功能描述

    射频放大器 GaAs Power FET

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TDK
25+
-
23458
样件支持,可原厂排单订货!
TDK
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
Triquint
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Triquint专营品牌进口原装现货假一赔十
TRIQUINT
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全新 发货1-2天
TRIQUINT
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郑重承诺只做原装进口现货
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